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Samsung MZ-V7S1T0, 1000 Go, M.2, 3500 Mo/s

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MZ-V7S1T0BW

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Samsung MZ-V7S1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3500 Mo/s, Vitesse d'écriture: 3300 Mo/s, composant pour: PC
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Fiche technique

Temps moyen entre pannes1500000 h
Température d'opération0 - 70 °C
Largeur80,2 mm
Profondeur2,38 mm
Hauteur22,1 mm
Poids8 g
composant pourPC
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Type d'emballageBoîte
Consommation électrique (idle)0,003 W
InterfacePCI Express 3.0
Consommation (max)9 W
Vitesse de lecture3500 Mo/s
Vitesse d'écriture3300 Mo/s
Type de mémoireV-NAND MLC
Capacité du Solid State Drive (SSD)1000 Go
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Lecture aléatoire (4KB)600000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)550000 IOPS
Support TRIMOui
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation d'énergie (moyenne)6 W
Support S.M.A.R.T.Oui
Type de contrôleurSamsung Phoenix
Facteur de forme SSDM.2
Date de lancement1/22/2019
Le chiffrement matérielOui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
NVMeOui
Version NVMe1.3
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